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上海天比高電氣科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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  • 南瑞半導(dǎo)體

    南瑞半導(dǎo)體PRODUCTSERIES產(chǎn)品聚焦創(chuàng)新科技與實(shí)用美學(xué)，系列產(chǎn)品以高效能、輕量化為核心。覆蓋多場(chǎng)景需求，兼具品質(zhì)穩(wěn)定性與人性化設(shè)計(jì)，從細(xì)節(jié)處提升使用體驗(yàn)...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/11/11 16:35:02 對(duì)比
    南瑞半導(dǎo)體芯片分立器件工業(yè)級(jí)IGBT模塊車規(guī)級(jí)模塊
  • 車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET模塊 D3

    車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET模塊 D3模塊適配新能源汽車 800V 高壓平臺(tái)，覆蓋驅(qū)動(dòng)逆變器、OBC 及 DC/DC 核心場(chǎng)景。采用低雜散電感封裝與 S...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/11/11 15:57:57 對(duì)比
    車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET模塊 D3車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET模塊D3半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)模塊
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S4

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S4 是 S3 進(jìn)階款，開關(guān)頻率達(dá) 40kHz（較 S3 升 14%），-40℃至 165℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 30%。額定電壓 600...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/11/11 15:56:12 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S3工業(yè)級(jí)IGBT模塊S4半導(dǎo)體南瑞
  • SiC MOSFET芯片

    SiC MOSFET芯片是第三代半導(dǎo)體核心器件，相比硅基 IGBT，導(dǎo)通損耗降 50%+、開關(guān)速度提 3 倍，耐溫 - 55℃~225℃，耐壓 650V~15k...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/11/11 15:47:21 對(duì)比
    SiC MOSFET芯片SiC MOSFET芯片半導(dǎo)體
  • 車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET D2

    車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET D2 符合 AEC-Q104 標(biāo)準(zhǔn)，開關(guān)頻率達(dá) 50kHz，-55℃至 175℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 650V-1200...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/16 9:07:08 對(duì)比
    車規(guī)級(jí)IGBT/SiC MOSFET D2車規(guī)級(jí)IGBT/SiCMOSFETD2半導(dǎo)體
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S3

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S3 是 S2 進(jìn)階款，開關(guān)頻率提至 35kHz（較 S2 升 17%），-40℃至 160℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 25%。額定電壓 60...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 15:55:04 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S3工業(yè)級(jí)IGBT模塊S3半導(dǎo)體南瑞
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S2

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S2是 S1 升級(jí)款，開關(guān)頻率達(dá) 30kHz（較 S1 升 15%），-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行，抗擾性強(qiáng)。額定電壓 600V-170...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 15:48:33 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊S2半導(dǎo)體南瑞
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S1

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S1 是高效電力變換器件，開關(guān)頻率達(dá) 26kHz，-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 600V-1700V、電流 100A-300A...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 15:37:47 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊S1半導(dǎo)體
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H2

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H2 是高功率電力變換優(yōu)選器件，開關(guān)頻率達(dá) 32kHz，-40℃至 160℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 800V-1700V、電流 150A-4...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 11:00:15 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H2工業(yè)級(jí)IGBT模塊H2半導(dǎo)體
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H1

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H1 是高功率電力變換核心器件，開關(guān)頻率達(dá) 28kHz，-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 800V-1700V、電流 120A-3...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:56:34 對(duì)比
    半導(dǎo)體工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H1工業(yè)級(jí)IGBT模塊H1
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 E6+

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 E6+ 是高頻電力變換核心器件，開關(guān)頻率達(dá) 25kHz，-40℃至 150℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 600V-1700V、電流 80A-25...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:47:25 對(duì)比
    半導(dǎo)體工業(yè)級(jí)IGBT模塊E6E6+工業(yè)級(jí)IGBT模塊
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 E6

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 E6 是高頻電力變換核心器件，開關(guān)頻率達(dá) 25kHz，-40℃至 150℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 600V-1700V、電流 80A-250...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:43:48 對(duì)比
    半導(dǎo)體工業(yè)級(jí)IGBT模塊E6E6工業(yè)級(jí)IGBT模塊
  • 工業(yè)級(jí)IGBT模塊 A3

    工業(yè)級(jí)IGBT模塊 A3 適配 TO247-3L 封裝，集成 FRD 功能，具備低導(dǎo)通損耗（Vce (sat) 低）、短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，耐溫 - 55℃~150℃...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:32:15 對(duì)比
    工業(yè)級(jí)IGBT模塊FRD半導(dǎo)體
  • 分立器件TO247-3L

    分立器件TO247-3L 是經(jīng)典功率封裝，3 引腳（柵極、漏極、源極）設(shè)計(jì)，適配 SiC MOSFET、IGBT 等功率芯片。具備優(yōu)異散熱性（銅基板 + 大散熱...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:14:43 對(duì)比
    TO247-3LTO247半導(dǎo)體分立器件
  • SiC MOSFET DIE芯片

    SiC MOSFET DIE芯片是第三代半導(dǎo)體核心裸器件，延續(xù) SiC 優(yōu)勢(shì)：導(dǎo)通損耗降 50%+、開關(guān)速度提 3 倍，耐溫 - 55℃~225℃，耐壓 650...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:01:45 對(duì)比
    SiC MOSFET DIE芯片SiC MOSFETDIE芯片半導(dǎo)體
  • IGBT/FRD DIE芯片

    IGBT/FRD DIE芯片是電力電子核心裸片，集成 IGBT 電壓控制與高電流特性、FRD 快恢復(fù)優(yōu)勢(shì)。具備低導(dǎo)通損耗（IGBT 飽和電壓≤1.8V）、FRD...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 9:34:55 對(duì)比
    IGBT/FRD DIE半導(dǎo)體IGBTFRDDIE
  • IGBT/FRD芯片

    IGBT/FRD芯片IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電壓驅(qū)動(dòng)的全控型功率器件，兼具高頻與大功率控制優(yōu)勢(shì)；FRD（快恢復(fù)二極管）以快速反向恢復(fù)特性見(jiàn)長(zhǎng)，為 IGB...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 9:12:09 對(duì)比
    IGBT/FRD芯片芯片半導(dǎo)體IGBTFRD
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